524的6脚、7脚外接电容器CT和外接电阻器RT决定,其值为:f=1.15/RTCT。考虑到对CT的充电电流为(1.2-3.6/RT 一般为30μA-2mA),因此RT的取值范围为1.8kΩ~100kΩ,CT为0.001μF~0.1μF,其最高振荡频率为300kHz。开关电源输出电压经取样后接至误差放大器的反相输入端,与同相端的基准电压进行比较后,产生误差电压Vr,送至PWM比较器的一个输入端,另一个则接锯齿波电压,由此可控制PWM比较器输出的脉宽调制信号。Р2.4 驱动电路РIGBT驱动采用芯片IR2110,IR2110采用14端DIP封装,引出端排列如图10所示。Р图10 IR2110管脚图Р它的各引脚功能如下: Р脚1(LO)是低端通道输出;Р)是公共端;Р脚3(Vss)是低端固定电源电压;Р脚5(Us)是高端浮置电源偏移电压;Р脚6(UB)是高端浮置电源电压;Р脚7(HO)是高端输出;Р脚9(VDD)是逻辑电路电源电压;Р脚10(HIN)、脚11(SD)、脚12(LIN)均是逻辑输入;Р脚13(Vss)是逻辑电路地电位端外加电源电压,其值可以为0V;Р脚4、脚8、脚14均为空端。РIGBT驱动电路如图11所示。IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS工艺制作,具有独立的高端和低端输出通道;浮置电源采用自举电路,其工作电压可达500V,du/dt=±50V/ns,在15V下的静态功耗仅有1.6mW;输出的栅极驱动电压范围为10~20V,逻辑电源电压范围为5~15V,逻辑电源地电压偏移范围为-5V~+5V。IR2110采用CMOS施密特触发输入,两路具有滞后欠压锁定。推挽式驱动输出峰值电流≥2A,负载为1000pF时,开关时间典型值为25ns。两路匹配传输导通延时为120ns,关断延时为94ns。IR2110的脚10可以承受2A的反向电流。Р图11 IGBT驱动电路
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