al Etching)、湿法腐蚀(Wet Etching)、等离子增强化学腐蚀(Plasma-Enhanced Chemical Etching,PECE)、常压等离子腐蚀(Atmosphere Downstream)等。由于划片工艺改进,相继开发了Р“先划片后减薄”(Dicing Before Grinding,DBG)和“减薄划片”(Dicing By Thinning,DBT)方法。DBG法,即在背面磨削之前将硅片的正面切割出一定深度的切口,然后再进行背面磨削。DBT法,即在减薄之前先用机械的或化学的方式切割出切口,然后用磨削方法减薄到一定厚度以后,采用ADPE腐蚀去除掉剩余加工量,实现裸芯片的自动分离。这两种方法都很好地避免或减少了减薄引起的硅片翘曲以及划片引起的芯片边沿损害,特别是对于DBT技术,各向同性的Si刻蚀剂不仅能去除硅片背面研磨损伤,而且能除去芯片引起的微裂和凹槽,大大增强了芯片的抗碎裂能力。Р1.2.2 芯片贴装Р 芯片贴装(Die Bonding或Die Mount)也称为芯片粘贴,是将IC芯片固Р定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。贴装主要有4种方法:Р共晶粘贴法Р共晶粘贴法是利用金-硅合金(一般是69%Au,31%的Si),363℃时的共晶熔Р合反应使IC芯片粘贴固定。一般的工艺方法是将硅芯片置于已镀金膜的陶瓷基板芯片座上,再加热至约425℃,借助金-硅共晶反应液面的移动使硅逐渐散至金中而形成的紧密接合。在共晶粘贴之前,封装基板与芯片通常有交互摩擦的动作用以除去芯片背面的硅氧化层,使共晶溶液获得最佳润湿。反应必须在热氮气的气氛中进行,以防止硅的高温氧化,避免反应液面湿性降低。润湿性不良将减弱界面粘贴强度,并可能在接合面产生孔隙,若孔隙过大,则将使封装的热传导质量降低而影响IC电路运作的功能,也可能造成应力不均匀分布而导致IC芯片的破裂。
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