GaN厚膜HVPE生长工艺的研究

高的电离能,这样就使得电离的受Р主数量大大减少。除此之外,未掺杂的氮化镓本身就存在一定浓度的 N 空位,这就导致受主杂质РMg、Be 的电活性大大降低了[25]。为了解决这个问题,在掺杂生长后还需要一些其它的工艺过程,Р如热退火和低能电子束照射等。Р1-2-6 GaN 的能带结构Р [26~30]Р 前面提到,六方相 GaN 有三个自由激子 A、B、C,它们的对称性分别是Γ 9、Γ 7、Γ 7 。Р如图 1.3 所示: Р 1Р EA(1.1) Р 9 2 SO CFР 1Р 1  2 8 Р 2Р EB7  SO CF  SO CF (1.2) Р 2  3 Р 1Р 1  2 8 Р 2Р EC7  SO CF  SO CF (1.3) Р 2  3 Р EAB  EA9  EB7 EBC  EB7  EC7 (1.4) Р  SO和CF 可以从E AB 与EBC 测量值拟合出来。对于 GaN,理论计算值 SO 和CF 分别为Р15.6meV 和 72.9meV,而实验测量值分别为 16.9meV 和 42meV. Р Р (a)自旋-轨道耦合导致价带分裂; (b)布里渊区中西处的价带劈裂Р 图 1.3 GaN 的价带劈裂结果Р Fig 1.3 The result of abruption of GaN Р 一般来说,计算晶体能带结构的理论方法有以下几种: Р ●紧束缚法(ab-initio; tight-binding) Р ●LMTO (LinearMuffin-Tin Orbital) Р ●原子轨道线性组合法 LCAO (bination of Atomic Orbital) Р 5