lopment) 可在抗蚀剂上获得与掩膜相同或者互补的图片,最后经过刻蚀(Etching) 可将图形传递到硅片上,从而实现掩膜图形向硅片的转换.光学光刻的分辨率决定了芯片上单个器件的最小尺度. 光刻技术仍是主流技术.2003 年,采用 193nm 波长的 0.13 μm,Intel 已经正式由于光刻技术已经发转到极限,用于替代光学光刻的下一代光刻十(NGL) 也处在大力的研发阶段.有的已经取得了重大突破.下一代光刻技术主要有紫外线(EUVL),X 射线光刻(XRL), 电子束光刻(EBL), 离子束光刻(IBL) 等. . 157nm 光刻技术下一代光刻技术 EUVL XRL 纳米压印技术基本原理 157nmF2 激光投影光刻 4倍缩小扫描投影, 约80层Mo-S i结构多层膜,激光等立体光源 1倍X射线接近式投影光刻,1X掩模加热聚合物/自外曝光,印章压印, 合物固化前景分辨率:70nm 应用领域:大规模集成电路分辨率:100nm 延伸至 30n m以下应用领域: ULSI 分辨率: 100n m掩膜至40nm 应用领域: ULSI , GaAsIC ,MEMS 。分辨率:100nm 延伸至 5nm 以下应用领域:ULSI ,纳米加工, MEMS 重大课题掩模,薄膜, 光刻胶,透镜成本环境无缺陷反射式掩模, 多层膜,光源功率, 真空环境。大面积平行电子束, 1X掩模大面积压印模版的制作,压印过程平整度电子束光刻电子束光刻具有极高的分辨率,甚至可以达到原子量级,由电子束光曙曝光制作的最小尺寸可以达到 10-20nm ,当电压高达 100KV 时,电子束曝光计制作出1-2nm 的单电子器件。电子束曝光机是无膜直写型,但是由于电子束是扫描成像型的,因此它的生产率极低,现在的发展前途就是与光学光刻的混合匹配曝光技术,即电路的大部分工艺有光学光刻完成,超精细图形由电子束光刻完成,结
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