质接触形成的结,在光照下会产生一个电压--光生伏特效应,这是被发现的半导体的第二个特征。Р1874年,德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关,即它的导电有方向性,这就是半导体的整流效应,也是半导体所特有的第三种特性。Р1873年,英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应,这是半导体又一个特有的性质。Р1911年考尼白格和维斯首次定义半导体这个名词。Р1947年12月由贝尔实验室完成四特性的总结并最终应用。Р二、光刻技术在IC制造中的作用Р何谓集成电路IC ?IC芯片剖面图?单层制造流程简述?光刻设备在IC制造中的作用Р何谓IC---集成电路РIC:用硅的体电阻做电阻,用P-N结形成电容;所有有源和无源器件器件都集合到一个半导体材料上。Р1958年9月,TI公司的Jack S.Kilby第一次将所有元器件(12个元件)都集合到一个的半导体材料上,产生第一块集成电路。2000年度荣获诺贝尔物理学奖。Р现在,超大规模集成电路,一个芯片可以容纳百万个元件。РIC芯片剖面图(多层)РN-WellРP-WellРP+РP+РN+РN+РIMD 1РIMD2РM2РM1РV1РMTРPA OXРPA SIONРVIAРAL PadРLocalР(‘’Nano’’ realm)РIntermediateРGlobalРLitho Key layers:РSTI、 POLY、C.H.、M1Р图:?一个CMOS器件的剖面示意图。Р光刻设备在IC制造中的作用? ----IC电路单层制造流程简介Р在wafer(晶圆)预检侧完毕被送到FAB的工艺线上后,先后在wafer表面生长出一层致密的SiO2膜和另外一层Si3N4膜,分别称为PAD Oxide和Nitride。РNitrideРPAD OxideРSTI: shallow trench isolate浅沟槽隔离工艺
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