光刻机简单说明

光刻机简单介绍郑鸿光2012.09.01目录1.发展史2.光刻机概述3.光刻机构造4.相关技术光刻机发展过程1.接触式光刻机2.接近式光刻机3.投影式光刻机4.扫描式光刻机5.步进式光刻机6.步进扫描式光刻机光刻机概述(一)腔体(CHAMBER)主体(MAINBODY)传片单元(WAFERLOADER)上版单元(RETICLELOADER)照明系统(ILLUMINATION)工作台(WAFERSTAGE)控制柜(CONTROLRACK)光刻设备概述(二)微细加工技术的核心,是微细光刻技术。主要有光学曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光。目前生产上大量采用的是光学曝光技术。Nikon光刻机:重复步进式光刻机(NSR)NSR–2205i12C?①②③④⑤⑥①NSR為「NikonStepandRepeatexposuresystems」的略称。②表示最大曝光範囲。200為正方形□20.0mm的曝光範囲。③表示投影鏡頭的投影倍率。5是表示将Reticle上的図形以1/5倍投影到Wafer上。④表示曝光光波長。i是表示使用由超高圧水銀灯発出的光中的i線。⑤表示NSR本体的型式名。此数字越大意味着是越新模型的NSR。⑥表示投影鏡頭的型式。同様的□20mm1/5倍、使用i線的鏡頭中、以A或B等進行区別。光刻机光刻机:采用重复步进的方式将掩膜版(Reticle)的图形以5:1的比例转移到硅片(Wafer)上。光刻机基础光刻机曝光光源为超高压水银灯高压水银灯光线组成X线0.71nmKrF248nmi365nmh405nmg436nmx10nm紫外线400nm可视光区750nm红外线区光学基础知识i线:波长=365nmg线:波长=436nm波长越长频率越低i>g光刻机整体构造HEPAfilter压缩机送风机HeaterUvlampreticlewaferWaferstagelens风进风口