胶膜与硅片的粘附性,增强角膜的抗蚀能力。坚膜的温度和时间要适当。坚膜不足,则抗蚀剂胶膜没有烘透,膜与基片粘附性差,腐蚀时易浮胶;坚膜温度过高,则抗蚀剂胶膜会因热膨胀而翘曲或剥落,腐蚀时同样会产生钻蚀或浮胶。温度更高时,聚合物将分解,影响粘附性和抗蚀能力。此外,坚膜时最好采用缓慢升温和自然冷却的烘焙过程。对于腐蚀时间较长的厚膜刻蚀,可在腐蚀一半后再进行一次坚膜,以提高胶膜的抗蚀能力。2.1.6腐蚀腐蚀就是用适当的腐蚀剂,对未被胶膜覆盖的SiO2或其他薄膜进行腐蚀,以获得完整、清晰、准确的光刻图形,达到选择性扩散或金属布线的目的。光刻工艺对腐蚀剂的要求是:只对需要除去的物质进行腐蚀,而对抗蚀剂胶膜不腐蚀或腐蚀量很小。同时,还要求腐蚀因子要足够大。腐蚀因子的定义是腐蚀深度与一边的横向腐蚀量很小。同时,还要求腐蚀因子要足够大。腐蚀因子的定义是腐蚀深度与一边的横向腐蚀量之比。腐蚀因子越大,表示横向腐蚀量越小。此外,还要求腐蚀图形边缘整齐、清晰;腐蚀液毒性小,使用方便。2.1.7去胶刻蚀或离子注入之后,已经不再需要光刻胶作保护层,可以将其除去,称为去胶,分为湿法去胶和干法去胶,其中湿法去胶又分有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。有机溶剂去胶,主要是使光刻胶溶于有机溶剂而除去;无机溶剂去胶则是利用光刻胶本身也是有机物的特点,通过一些无机溶剂,将光刻胶中的碳元素氧化为二氧化碳而将其除去;干法去胶,则是用等离子体将光刻胶剥除。2.2曝光时影响分辨率的因素2.2.1 掩膜版与光刻胶膜的接触情况若硅片弯曲,硅片表面有灰尘或突起,胶膜厚度不均匀,光刻机压紧机构不良等都会影响掩膜版与光刻胶膜的接触情况,从而使分辨率降低。2.2.2曝光光线的平行度曝光光线应与掩膜版和胶膜表面垂直,否则将使光刻图形发生畸变。2.2.3 光的衍射和反射光波在掩膜版图形边缘的衍射和反射将使分辨率降低。2.2.4光刻胶膜的质量和厚度
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