数字专用集成电路设计2陈禾内容:?CMOS电路基础知识MOS管基本理论CMOS基本电路CMOS电路基础知识MOS器件是VLSI基础MOS器件有nMOS和pMOS两种类型,以及两种类型的结合-CMOS器件CMOS为目前VLSI的主流工艺MOS晶体管基本工作原理nMOS管:电子作为导电载流子pMOS管:空穴导电IdVtnVgs0-+Vtp-Vgs0-Id-Id-Vtp-Vgs0-VtnVgs0Id符增强型nMOS耗尽型nMOS增强型pMOS耗尽型pMOS号伏安特性Id:漏电流Vgs:栅电压MOS晶体管基本工作原理增强型nMOS三极管立体构造MOS晶体管基本工作原理图为MOS三极管版图示意图,即芯片表面顶视图。在加工时P型硅上先加工多晶硅栅极,再加工扩散层的D和S,因此扩散层版图中,源、漏极连成一线。LWGDSMOS晶体管基本工作原理nMOS三极管剖面图MOS晶体管基本工作原理反型层的形成MOS晶体管基本工作原理反型层和n型硅都依靠自由电子导电,但自由电子产生的方法不同。n型硅是在制造过程中由扩散掺杂工艺产生反型层则由栅极电压感应产生故MOS管又称场效应晶体管MOS晶体管基本工作原理Vtn是MOS晶体管的一个极其重要的参数Vtn可在制造过程中加以控制Vtn取的太大,晶体管不易导通,要求很大的驱动电流才能导通Vtn取的太小,晶体管不易截止,抗干扰能力变差通常Vtn0.2VDDMOS晶体管基本工作原理nMOS管不同Vds情况下的沟道特性Vgs≥Vtn,Vds=0;Vds≤Vgs-Vtn;Vds>Vgs-Vtn
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