集成电路设计原理第4章CMOS数字集成电路

O–VDD)–(VO–VDD)2]=Kn(Vi–VTN)2K=WL)Cox2(0VOViVDDVTN54.1.2器件工作状态及电压传输特性ViVoVDDMPMNIMP=IMN③VO+VTP<Vi<VO+VTNNMOS饱和,PMOS饱和Kp(Vi–VDD–VTP)2=Kn(Vi–VTN)2K=WL)Cox2(Vi=VDD+VTP+VTNo1+o记作V*o=KNKP0VOViVDDVTNV*64.1.2器件工作状态及电压传输特性ViVoVDDMPMNIMP=IMN④VO+VTN<Vi<VDD+VTPNMOS非饱和,PMOS饱和Kp(Vi–VDD–VTP)2=Kn[2(Vi–VTN)VO–VO2]K=WL)Cox2(0VOViVDDVTNV*VDD+VTP74.1.2器件工作状态及电压传输特性ViVoVDDMPMNIMP=IMN⑤VDD+VTP<ViNMOS非饱和,PMOS截止0=Kn[2(Vi–VTN)VO–VO2]K=WL)Cox2(0VOViVDDVTNV*VDD+VTPVO=0=VOLVDD无比电路80VOVi4.1.2器件工作状态表及电压传输特性ViVoVDDMPMN截止非饱和VDD+VTP<ViVDD饱和非饱和VO+VTN<ViVDD+VTP饱和饱和VO+VTPViVO+VTN非饱和饱和VTNVi<VO+VTP非饱和截止0Vi<VTNP管N管输入电压范围IMP=IMNVTP和VTN数值增大或VDD减小会使曲线矩形化。0VOViVDDVTNV*VDD+VTPVDD94.1.3噪声容限VILmaxVOHminVIHminVOLmaxVDDVOHminVSSVOLmaxVILmaxVIHminVNMLmaxVNMHmax(1)噪声容限的定义VNMmax=min{VNMHmax,VNMLmax}上升或下降10%VL0VOViVDDSlope=-110