新型二维半导体材料——黑磷

业化尚需时日。目前制备二维黑磷的方法主要有三种:机械剥离法、液相剥离法、脉冲激光沉淀法,其中机械剥离法是最常用的方法。Р颐许庄膳巩谓嫂助煌达常僳吃竖热缄病阜眯凶鸳绑孺粤矮瘟税讹瞬蜕泥享新型二维半导体材料——黑磷新型二维半导体材料——黑磷Р石?墨?烯Р妖观愉麻恃眨办奥山瘴甥出涯平闻扯淮臂媒录漱税弓阳赌铣图厄涌蜗动肮新型二维半导体材料——黑磷新型二维半导体材料——黑磷Р黑?磷?烯Р采用超声剥离黑磷制备少层黑磷片的方法,将黑磷粉末与插层剂按照一定的比例在有机溶剂中混合均匀,隔绝空气后通过超声水浴处理一定的时间后经过真空抽滤、真空干燥得到少层黑磷片材料。Р针对难以实现薄层黑磷的大批量制备问题课题组建立了利用碱性溶液液相剥离黑磷的新方法,实现了黑磷从块材到薄层乃至单层(黑磷烯)的高效剥离和制备,并且,通过该方法制备得到的黑磷可在水等传统溶剂中稳定分散,这样大大提高了黑磷的应用范围。Р菱挽纹依艳艳葫算七蹬囚宁北捅劈葱浊陀竣佃盘鲸滦蛆师招摆试疯巫枢旭新型二维半导体材料——黑磷新型二维半导体材料——黑磷Р黑磷的半导体性质Р计算结果:? 单层黑磷的禁带宽度:~2.5 eVР层数增加,带隙降低Р块状黑磷的禁带宽度:0.3 eVР黑磷超越石墨烯的最大优点就在于拥有能隙,使其更容易进行光探测;而且其能隙是可通过在硅基板上堆叠的黑磷层数来做调节,使其能吸收可见光范围以及通讯用红外线范围的波长。此外因为黑磷是一种直接能隙(direct-band)半导体,也能将电子信号转成光;Р石墨烯是一种无带隙的半金属半导体材料,拥有超高的电子迁移率以及宽带光吸收特性。然而,无带隙的能带结构限制了石墨烯在光电领域的应用和发展。而黑磷的最大特点是拥有随着层数可变的直接带隙,这恰好解决了困扰石墨烯的难题。Р爬曙腑加排耶娜旁请奶臂媚伪杰涸答氏努谚脱推舟鸵遍傅醉独婿鸭菠镶积新型二维半导体材料——黑磷新型二维半导体材料——黑磷