*晶体生长半导体制造工艺基础**导电性:绝缘体、半导体及导体。绝缘体:电导率很低,约介于20-18S/cm~10-8S/cm,如熔融石英及玻璃;导体:电导率较高,介于104S/cm~106/cm,如铝、银等金属。半导体:电导率则介于绝缘体及导体之间。半导体材料*电子和空穴??用砷来做N型掺杂的硅;用硼来做P型掺杂的硅*掺杂半导体的特性*硅、锗都是由单一原子所组成的元素半导体,均为周期表第IV族元素。20世纪50年代初期锗曾是最主要的半导体材料;60年代初期以后,硅已取代锗成为半导体制造的主要材料。硅的优势:硅器件在室温下有较好的特性;高品质的硅氧化层可由热生长的方式产生,成本低;硅含量占地表的25%,仅次于氧,储量丰富。元素(elements)半导体*化合物半导体由元素周期表中的第Ⅱ族、第Ⅲ族、第Ⅳ族、第Ⅵ族形成。其中用的最多的是砷化镓(GaAs)、磷砷化镓(GaAsP)等。pound)半导体材料化合物半导体的优势与不足:许多化合物半导体具有与硅不同的电和光电特性。这些半导体,特别是砷化镓(GaAs),主要用于高速光电器件。与元素半导体相比,制作单晶体形式的化合物半导体通常需要较复杂的程序,制造成本大。化合物半导体的技术不如硅半导体技术成熟。一、晶体和非晶体非晶体物质的内部原子排列没有一定的规律,当断裂时断口也是随机的,如塑料和玻璃等晶体物质,外形呈现天然的有规则的多面体,具有明显的棱角与平面,其内部的原子是按照一定的规律整齐的排列起来,所以破裂时也按照一定的平面断开,如食盐、水晶等。*二、单晶硅和多晶硅单晶硅:在晶体中,组成晶体的原子有周期重复性的在空间中排列,如果这种周期重复性的排列存在于整个晶体中,这种物质就是单晶。多晶:晶体由无数个小的单晶区域组成。(无规律)