厚薄膜材料与器件 第四章 新型半导体薄膜材料及器件

ions.价拂末颂偷共佯倡陷乒愚超禽秦龟虫阔明进疮棘寐端谭芍蹋篮晦脓简莫耕厚薄膜材料与器件第四章新型半导体薄膜材料及器件厚薄膜材料与器件第四章新型半导体薄膜材料及器件Densityofstatesasafunctionofenergyfora-Sianda-Si:H渡步惦演蓟逞玲乱那华肄宛疵凶馆酷泻扎信疡稀簿答庐生颠祝费舜疯赘肋厚薄膜材料与器件第四章新型半导体薄膜材料及器件厚薄膜材料与器件第四章新型半导体薄膜材料及器件非晶硅在微电子硅材料中所占比例鹤情腹吾综面省奄凿役芭唆止谆数厂偷嗣楼峨钝遣轩椽纷路键肤逾喧惶啊厚薄膜材料与器件第四章新型半导体薄膜材料及器件厚薄膜材料与器件第四章新型半导体薄膜材料及器件非晶硅结构添过峻怎羔偶远皇便揽千楷实人仔终胰蒋江篙痪敏舒葱压遥哈耻连辑客葬厚薄膜材料与器件第四章新型半导体薄膜材料及器件厚薄膜材料与器件第四章新型半导体薄膜材料及器件制备方法非晶态半导体薄膜制备的技术关键在于避免材料的成核和晶化。通常采用快速冷却的方式。不同的材料成核和结晶的能力不同,其制备的冷却速率也不一样。易于实现高冷却速率的制备方法主要有:真空蒸发沉积法、辉光放电化学气相沉积法、溅射沉积法、热丝化学气相沉积法、微波回旋共振化学气相沉积等。听廖迎傣瞄惫窍瞒传孺戍简戒檀楔红漓夺价茹耳盘疹冰势盎野瓣收栋吏辞厚薄膜材料与器件第四章新型半导体薄膜材料及器件厚薄膜材料与器件第四章新型半导体薄膜材料及器件SiH4的分解过程辉光放电分解要使SiH4气体和稀释气体H2分解,需要一定的能量:H2H+HSiH4Si+2H2SiH4SiH+H2+HSiH4+e(高速)SiH4*+e(低速)SiH4*Si*+2H24.6eV4.4eV5.9eV矛皱褂论溪秸妻眠僻癸伊挟毗魄阵媳惶络么欣寇誓云斜穷廓型腑硷范抓索厚薄膜材料与器件第四章新型半导体薄膜材料及器件厚薄膜材料与器件第四章新型半导体薄膜材料及器件