方向。生长出直径为8mm、长8mm 的6H - SiC 单晶。该方法是将SiC 晶种放在一个含SiC 粉源的坩埚里, 坩埚通过中频感应或电阻炉加热, 使温度达到2000℃以上, 在源和晶种之间通过温度梯度引起Si 或C 样本传输到晶种的表面,形成单晶。这种方法称作PVT 法。 PVT炉示意图如图5,通过中频(10KHz)感应线圈感应石墨坩埚, 产生涡流, 从而Р 页第 6Р 第三代新型半导体材料——SiCР 在石墨坩埚上形成固定的温度,进而对SiC粉源进行加热。改良的Lely法其优点在于:采用SiC籽晶控制所生长晶体的构型,克服了Lely法自发成核生长的缺点Р,可得到单一构型的SiC单晶、可生长较大尺寸的SiC单晶、采用较低的生长压力,生Р 长温度也有所降低.后来,改良的Lely法又得到了Р 进一步优化,取消了坩埚内部的多孔石墨管,把SiCР 粉料直接放在籽晶的下部。Р 3.1.4碳化硅单晶存在的主要缺陷以及一些解决方Р 案Р 1.微管道Р 微管缺陷是SiC单晶中一种致命缺陷, 严重制约SiC 在微电子领域的应用。到目前为止, SiC 单晶中微管道的密度一般在102~103 cm- 2 量级。Р 微管的产生原因很多。要减少微管的发生,就得减少晶体中夹杂的出现,并避免晶体生长过程中生长条件的较大波动,或者减少层错与螺位错的影响,也能减少微管的产生[6]。Р 2.位错Р 位错也是PVT 法生长SiC 单晶中的常见缺陷, 晶体中位错密度通常在104~105 cm- 2 范围内。位错的主要解决方法是,通过沿一定生长方向进行单晶生长来抑制位错的恶化,减少悬挂键的产生Р 3.镶嵌结构Р PVT 法单晶生长需要气相组份的过饱和蒸气压相对较高,当晶种表面某点的温度或压力不稳定, 表面扩散受到阻碍, 该点就有可能诱发二次成核而出现三维的微小晶种, 并逐渐生长形成镶嵌结构。镶嵌微晶的直径大约在
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