处于产业初期,我国与世界先进水平差距相对较小。深圳方大集团在国家“超级863计划”项目支持下,2001年与中科院半导体等单位合作,首期投资8千万元进行GaN基蓝光LED产业化工作,率先在我国实现氮化镓基材料产业化并成功投放市场。方大公司已批量生产出高性能GaN芯片,用于封装成蓝、绿、紫、白光LED,成为我国第一家具有规模化研究、开发和生产氮化镓基半导体系列产品、并拥有自主知识产权的企业。中科院半导体所自主开发的GaN激光器2英寸外延片生产设备,打破了国外关键设备部件的封锁。我国应对大尺寸GaN生长技术、器件及设备继续研究,争取在GaN等第三代半导体产业中占据一定市场份额和地位。 4结语不可否认,微电子时代将逐步过渡到光电子时代,最终发展到光子时代。预计到2010年或2014年,硅材料的技术和产业发展将走向极限,第二代和第三代半导体技术和产业将成为研究和发展的重点。我国政府决策部门、半导体科研单位和企业在现有的技术、市场和发展趋势面前应把握历史机遇,迎接挑战。参考文献[1]师昌绪.材料大辞典[M].北京:化学工业出版社,1994:13~14 [2]/10zxsc/249.htm.我国电子信息产业总规模居世界第三.北方微电子产业基地门户网[3]蓬勃发展的中国电子信息产业.信息产业部电子信息产品管理司司长张琪在“ICChina2003”上的主题报告[4]梁春广.GaN-第三代半导体的曙光.新材料产业,2000,5:31~36 [5]李国强.第三代半导体材料.新材料产业,2002,6:14~17 [6]万群,钟俊辉.电子信息材料[M].北京:冶金工业出版社,1990:12 [7]中国电子工业年鉴编委会.中国电子工业年鉴2002[M].北京:电子工业出版社,2002:293~299 [8]电子信息材料咨询研究组编.电子信息材料咨询报告[M].北京:电子工业出版社,2000:15~42
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