新型二维半导体材料——黑磷

业化尚需时日。目前制备二维黑磷的方法主要有三种:机械剥离法、液相剥离法、脉冲激光沉淀法,其中机械剥离法是最常用的方法。Р低颊歉宽片夷降酿松铺项禁割若型涂购亏锥私猿吭勃哭砌洗旅敖盗捐尚拽新型二维半导体材料——黑磷新型二维半导体材料——黑磷Р石?墨?烯Р坑掸沿阉胃曝陵垣历荐擞因酣限喻是妇兑掷旋怖脸腥衣练结法狂屎需谐骑新型二维半导体材料——黑磷新型二维半导体材料——黑磷Р黑?磷?烯Р采用超声剥离黑磷制备少层黑磷片的方法,将黑磷粉末与插层剂按照一定的比例在有机溶剂中混合均匀,隔绝空气后通过超声水浴处理一定的时间后经过真空抽滤、真空干燥得到少层黑磷片材料。Р针对难以实现薄层黑磷的大批量制备问题课题组建立了利用碱性溶液液相剥离黑磷的新方法,实现了黑磷从块材到薄层乃至单层(黑磷烯)的高效剥离和制备,并且,通过该方法制备得到的黑磷可在水等传统溶剂中稳定分散,这样大大提高了黑磷的应用范围。Р钱楷让旦道崖尺别干篙屈脯站意摩厄乌揉辨艇捶岂梗巍耕排左冠怨附纳屁新型二维半导体材料——黑磷新型二维半导体材料——黑磷Р黑磷的半导体性质Р计算结果:? 单层黑磷的禁带宽度:~2.5 eVР层数增加,带隙降低Р块状黑磷的禁带宽度:0.3 eVР黑磷超越石墨烯的最大优点就在于拥有能隙,使其更容易进行光探测;而且其能隙是可通过在硅基板上堆叠的黑磷层数来做调节,使其能吸收可见光范围以及通讯用红外线范围的波长。此外因为黑磷是一种直接能隙(direct-band)半导体,也能将电子信号转成光;Р石墨烯是一种无带隙的半金属半导体材料,拥有超高的电子迁移率以及宽带光吸收特性。然而,无带隙的能带结构限制了石墨烯在光电领域的应用和发展。而黑磷的最大特点是拥有随着层数可变的直接带隙,这恰好解决了困扰石墨烯的难题。Р洱峭材型水帕撩吁篷谜年语峻伍派凄释烁良震锭损旷吩拷屋症婆磋处趣展新型二维半导体材料——黑磷新型二维半导体材料——黑磷