ND)及SDRAM的叠层封装。Р3D封装Р填埋型即将元器件填埋在基板多层布线内或填埋、制作在基板内部。Р有源基板型是用硅圆片集成( wafer scale integra-tion, WSI) 技术做基板时, 先采用一般半导体IC制作方法作一次元器件集成化, 形成有源基板, 然后再实施多层布线, 顶层再安装各种其他IC芯片或元器件, 实现3D封装。这一方法是人们最终追求并力求实现的一种3D封装方法。Р叠层型是将两个或多个裸芯片或封装芯片在垂直芯片方向上互连形成3D结构。Р3D封装形式РTSV技术简介Р——在各类基板内或多层布线介质层中“埋置”R、C或IC等元器件,最上层再贴装SMC/SMD来实现立体封装。Р1.填埋型3D封装РTSV技术简介Р——Si圆片规模集成(WLS)后的有源基板上再实行多层布线,最上层再贴装SMC/SMD。Р2.有源基板型3D封装РTSV技术简介Р3.叠层型3D封装Р封装内的裸片堆叠(图a)? 封装内的封装堆叠或称封装堆叠(图b)РTSV技术简介Р图bР图aР3D封装按照封装堆叠及IC裸芯片焊接(键合)技术近二十年来经历着三个重要阶段,如下图所示。Р有人将TSV技术称之为第四代封装技术。是基于微电子装联键合技术从软铅焊、丝焊和芯片凸点倒装焊到通孔互连技术的不断进步发展而言。РTSV技术简介РTSV的主要技术环节:Р通孔的形成Р晶片减薄РTSV 键合РTSV技术被看做是一个必然的互连解决方案,是目前倒装芯片和引线键合型叠层芯片解决方案的很好补充。许多封装专家认为TSV是互连技术的下一阶段。实际上,TSV可以很好取代引线键合。РTSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大,外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。因此,业内人士将TSV称为继引线键合(WireBonding)、TAB(载带自动焊)和倒装芯片(FC)之后的第四代封装技术。РTSV技术简介
全文预览
