3D封装与硅通孔TSV工艺技术-课件【PPT演讲稿】

有人将 TSV 技术称之为第四代封装技术。是基于微电子装联键合技术从软铅焊、丝焊和芯片凸点倒装焊到通孔互连技术的不断进步发展而言。 TSV 技术简介 TSV (through silicon via) 穿透硅通孔技术,简称硅通孔技术。 TSV 是利用垂直硅通孔完成芯片间互连的方法, 由于连接距离更短、强度更高, 它能实现更小更薄而性能更好、密度更高、尺寸和重量明显减小的封装, 同时还能用于异种芯片之间的互连。 TSV 技术 TSV 技术简介图1所示是 4层芯片采用载带封装方法 (图 1(a)) 和采用 TSV 方法(图 1(b)) 封装的外形比较。? TSV 作为新一代封装技术,是通过在芯片和芯片之间,晶圆和晶圆之间制造垂直导通,实现芯片之间互连的最新技术,能够在三维方向使得堆叠密度最大,而外形尺寸最小,大大改善了芯片速度和低功耗性能。?硅通孔技术(T S V) 是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的最新技术(见下图所示)。与以往的 IC 封装键合和使用凸点的叠加技术不同, TSV 能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大, 外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和降低功耗的性能。 TSV 技术简介硅通孔技术(TSV) 示意图 TSV TSV 的主要技术环节的主要技术环节: : ?通孔的形成?晶片减薄? TSV 键合? TSV 技术被看做是一个必然的互连解决方案,是目前倒装芯片和引线键合型叠层芯片解决方案的很好补充。许多封装专家认为 TSV 是互连技术的下一阶段。实际上, TSV可以很好取代引线键合。? TSV 能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大,外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。因此,业内人士将 TSV 称为继引线键合(WireBonding) 、 TAB (载带自动焊) 和倒装芯片(FC) 之后的第四代封装技术。 TSV 技术简介