径，才能稳定存在；临界半径与过冷度成反比Р二维晶核形成后，就形成台阶，原子沿台阶铺展，又形成理想平面，晶体又必须依靠二维晶核继续生长。Р”二维表面成核，侧向层状生长“理论模型Р5РР单晶和多晶：?单晶：晶体的各个部分的取向一致，空间点阵排列规律相同，由一个晶核生长而成的晶体，就是单晶。?单晶可以小到一个晶胞，一个晶核，大到几百公斤，组成和结构都相同，有规则的外表面和棱线。?多晶：多个晶体（晶粒）组成，具有多种晶向，结合没有规律，晶体与晶体接触，形成晶界。多个晶核结晶长大形成的多晶材料。Р6РР9.2 区熔法制单晶硅?区熔法（Zone melting method),又称为Fz法（Float-Zone method)，早在1953年由Keck和Golay率先采用此法生长单晶硅。?特点：氧含量低（不使用坩埚，直接在硅棒上区域熔炼），低金属污染，纯度高，主要用于生产高反压，大功率的电子元件，如可控硅，整流器等，可以生长高电阻率的硅单晶。区熔高阻单晶硅，可以制作晶闸管（1500A、4000V）和红外探测器。?区熔单晶硅生长系统：?炉体（包括炉膛，上轴，下轴，导轨，机械传动装置和基座），高频发生器和高频槽路线圈（高频加热线圈），系统控制柜，真空系统，气体供给系统和水冷却系统等。?国际上最著名的区熔单晶炉公司：丹麦Haldortopsoe公司。Р7РР8РР9РР注意：①籽晶（单晶硅棒）和原料棒，旋转方向相反，能改善熔区热对流状况，是熔区的温度场均匀；②硅熔体的表面张力为720dyn/cm( ?)( H20：72mN/m.1atm),硅熔体表面张力较大，可以是熔体保持一定的厚度和直径，但如果单晶硅棒直径过大，会是籽晶难于承受。③控制旋转速度，是固液界面接触稳定，一般还要控制单晶硅的结晶轴（旋转中心轴）与原料棒的旋转轴中心，保持一定的偏心，可以提高单晶硅的质量和径向电阻率的均匀性。Р10
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