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碳化硅单晶晶向测试方法

上传者:读书之乐 |  格式:doc  |  页数:3 |  大小:48KB

文档介绍
4.5 记下测角仪读数φ1 。Р4.6 将试样沿被测面(基准面)法线以同一方向分别旋转90°、180°、270°,分别重复 4.4,依次记下测角仪读数φ2、φ3和φ4 。Р表102-1 4H-SiC单晶2θ角(Cu靶λ=0.15406nm)Р衍射面Р hklР2θ布拉格角Р(100)Р33.549°Р(004)Р35.670°Р(110)Р59.994°Р(201)Р71.233°Р(008)Р75.760°Р注:(hkl)晶面表示法等价于(hkil),i=- (k+h)。Р表102-2 6H-SiC单晶2θ角(Cu靶λ=0.15406nm)Р衍射面Р hklР2θ布拉格角Р(101)Р34.182°Р(006)Р35.588°Р(110)Р60.153°Р(00,12)Р75.654°Р(211)Р100.20°Р注:(hkl)晶面表示法等价于(hkil),i=- (k+h)。Р5 测试结果计算Р5.1 角度偏差分量α和β分别按公式(102-3)和(102-4)计算:Рα= (φ1 –φ3) ………………………………………(102-3)Рβ= (φ2 –φ4 ) ………………………………………(102-4)Р式中:Рα、β—角度偏差分量,(°);Рφ1、φ2、φ3和φ4 —测角仪读数,(°)。Р5.2 总角度偏差φ按公式(102-5)计算:Рcosφ=cosα•cosβ……………………………………(102-5) Р当总角度偏差φ小于5°时,该式可简化为公式(102-6): Рφ2=α2+β2 ………………………………………………(102-6)Р6 测试误差Р晶向定向误差为±0.25°。Р7 测试报告Р测试报告一般应包括如下内容:Р a) 报告日期; Рb) 编制、审核、批准人员签字;Рc) 样品规格型号、样品名称;Рd) 晶向及晶向偏差(º);Рe) 测试仪器名称及型号。

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