离、可循环再用;硅烷易提纯,为制备电子级高纯多晶硅创造了条件。硅烷法多晶硅还原工艺可以进一步升级为流化床工艺,使多晶硅还原电耗降低到10—15千瓦时/公斤硅烷法多晶硅生产技术四氟化硅制备四氢化铝钠制备硅烷制备多晶硅制备四氟化铝钠干燥硅烷提纯硅烷充装作为副产品对外销售作为主要产品对外销售作为主要产品对外销售四氟化硅(STF)的制备以廉价的氟化钙、硫酸、石英砂和氟化氢等为主要原料来制备四氟化硅,制备过程分为两步进行。第一步氟化钙和硫酸在反应炉中反应生成氟化氢气体,冷凝成液体备用;第二步石英砂和氟化氢在硫酸的介质中反应生成四氟化硅(STF)气体。四氢化铝钠(SAH)的制备四氢化铝钠(SAH)的制备是通过三乙基铝、铝粉、在溶剂槽中混合,然后转送到四氢化铝钠(SAH)反应釜中进行合成。整个过程在氢气的氛围下进行。四氢化铝钠(SAH)产品按照批次生产出来以后在溶液中保存。硅烷(SiH4)的制备将生产的四氟化硅(STF)和四氢化铝钠(SAH)分别送入第一硅烷反应釜和第二硅烷反应釜进行逆向输送反应生成硅烷。第一硅烷反应器完成90~95%的反应,余下的在第二硅烷反应器中完成。硅烷(SiH4)的提纯由上述工艺生产得到的粗硅烷还需要通过一系列的除杂工序才能得到高纯的硅烷气体。除杂工序包括脱轻、脱重、乙烯吸附、乙基硅烷去除等,分别除去粗硅烷中的各类轻组分、重组分和金属杂质得到高纯硅烷气体,然后冷凝成液态硅烷储存备用。高纯硅烷气用于后续多晶硅的制备或将储存的液态硅烷气化后用硅烷压缩机压缩成高压气体,充入钢瓶中供客户使用。多晶硅的制备在多晶硅制备过程中,还原炉温度控制在600-800℃,压力控制在0.2-0.5MPa,气化后的硅烷气体将沉降在预制好的硅芯上。未反应的硅烷和氢气排出热解炉,氢气被分离经除杂后再返回热解炉,被分离出来的硅烷再回到硅烷提纯装置经行提纯循环使用。硅烷法还原装置硅棒生长多晶硅硅棒
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