的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。РР外径滚磨的设备：磨床РР平边或Ｖ型槽处理 ：指方位及指定加工， 用以单晶硅棒上的特定结晶方向平边或Ｖ型。РР处理的设备：磨床及Ｘ－ＲＡＹ绕射仪。РР切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。РР切片的设备：内园切割机或线切割机РР倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形， 防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。РР倒角的主要设备：倒角机РР研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层， 有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。РР研磨的设备：研磨机（双面研磨）РР主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水）?，滑浮液。РР腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。РР腐蚀的方式：（Ａ）酸性腐蚀，是最普遍被采用的。 酸性腐蚀液由硝酸 （ＨＮＯ 3），氢氟酸（ＨＦ），及一些缓冲酸（ＣＨ 3ＣＯＣＨ，Ｈ 3ＰＯ 4）组成。РР（Ｂ）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由ＫＯＨ或ＮａＯＨ加纯水组成。РР抛光：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。РР抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。РР抛光的方式： 粗抛：主要作用去除损伤层， 一般去除量约在１０－２０ｕРРｍ；РР精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量１ｕｍ以下РРРРРРР主要原料：抛光液由具有ＳｉＯ?2 的微细悬硅酸胶及ＮａＯＨ（或ＫＯＨРР或ＮＨ 4ＯＨ）组成，分为粗抛浆和精抛浆。РР清洗：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，?这里的清洗主要是抛光РР后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。РР清洗的方式：主要是传统的ＲＣＡ湿式化学洗净技术。РР主要原料：Ｈ 2ＳＯ 4，Ｈ 2Ｏ 2，ＨＦ，ＮＨ 4ＯＨ，ＨＣＬ
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