强度时,两条路径之间会出现相干与去相干的循环往复效应,其中相干强度是与两条路径的长度无关的。因此,对于静止散射中心,%一o。(即%一O),这已被实验所证实16]。实验发现,即使两条路径的长度是电子自由程的好几百倍,电阻仍然是随着磁场振荡的。但是,当有晶格振动(声子)的作用时,情况就变了。这时两条路径内散射电子波函数的相位关系随时间是随机变化的,因此不会出现干涉。当磁场强度固定时,散射波函数之间在相干与去相干之间随机变化,对相干强度求时间平均为零。干涉现象只能出现在未被散射的波函数之间,它们的相干强度随着路径长度指数衰减。另一种导致电子相位随机化的碰撞是电子与电子之间的相互作用。这种作用是缘于电子之间的库仑排斥作用。有趣的是,电子的平均自由程L。并不受到电子与电子之间散射作用的影响,这是因为电子之间的散射作用并不改变电子的净动量,任何电子由于这种散射所损失的动量都被与其碰撞的电子吸收,所以,这种散射所对应的效率因子Q。等于零,但是o。却不为零。具有内禀自由度的杂质同样会导致电子相位的随机化,例如,磁性杂质具有随时问涨落的内禀自旋,与这种杂质碰撞将导致电子相位的弛豫。通过离子注入的方法在介观金环中引入锰离子杂质,实验上观测到了磁场存在情况下电阻涨落的消失。有趣的是这种涨落的消失只发生在低磁场强度的情况下,在强磁场下又会重新出现。原因是在强磁场情况下,由于自旋分裂效应,具有不同能量的自旋态将分开,一旦自旋分裂能超过bT,自旋涨落将被抑制,这时的磁性杂质就象普通的刚性杂质那样没有内禀自由度m。接下来的问题是,给定一个具有内禀自由度的散射中心,对应的相位弛豫时间是多少?这不能简单地以为它等于碰撞时间,%一%。例如,假设有一个声子对如图1.3所示的两条路径的影响相同,这种情况下,两条路径中电子相位的随机化是相互关联的,因此它们的相位差不会改变,从而不会改变两条路径中电子之间的干涉效应。
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