,从实验上证实了Aharonov-Bohm效应[11]。按照经典理论,电子运动的路径上没有磁场,因此电子的运动状态不会因为中间微弱的磁通量而改变。但是按照量子力学,电子将受到磁场所产生的磁矢势A的影响,使得其波函数附加了一个与磁矢势A有关的相位因子。该相位因子的存在,应该能使得两条不同路径上的电子波函数在显示屏上发生干涉效应。此实验之后,在超导体中也观察到了A-B效应。1986年Tonomura等人通过超导屏蔽将磁通量完全屏蔽,进一步证实了A-B效应的存在[12]。该实验之后,AB效应开始被物理学界普遍接受。1981年,为了验证在实际金属体是否也能够观察到上述A-B效应Altshuder,Aronov,Spivak三人提议了一个实验[13]:用正常金属做一个圆筒,只要圆筒壁足够薄,且圆筒直径与电子的相位相干长度L?相当,就有可能观察到沿圆筒的轴向电阻随磁场的周期性振荡。该效应也称AAS效应。几个月后,Sharvin父子在一直径1m?,筒壁20nm,磁场沿轴向方向的圆筒上观察到了电阻随磁场的周期性振荡。下图所示的是Altshuder等所用的Li圆筒上[15],筒的制作是在极细的石英丝上淀积金属锂膜,膜的内直径是d=1.31μm,锂膜的厚度是Δd=127nm,长度L=1cm,磁场沿筒的轴向。1984年Webb领导的小组开始了一个重要的实验,在在0.01K的低温下测量单个金环的磁电阻[16] [17]。图1-2是其实验所用金环。他们的实验表明,在金环的直径与金环截面直径之比大于10时,可以成功观察到磁电阻的周期性振荡;而在二直径之比小于10时,则会出现磁电阻的非周期性振荡,也称为普适电导涨落。进一步的实验证实,不仅在金属环中存在电导涨落,在半导体材料如Si等MOSFET的电导随栅极电压的变化曲线中也发现了类似的非周期振荡现象[18]-[21]。因而称这种电导涨落是普适的[22]。
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