、绿和紫外光发射电子器件和高温晶体管19。”。GaN系列材料是理想的短波长发光器件材料,具有低的热产生率和高的击穿电场,是研制高温大功率屯子器件和高频微波器件的重要材料。InN和AlN均可以和GaN材料化合成多元台金,这样可以改变晶体的带隙和发射波长。用A1GaN或者GaN作势垒层,GaN或者InGaN作有源层(激活层)就可以形成量子阱或者鸯子点超晶格。InGaN量子点结构在光发射电子器件中有广泛的应用,这主要是因为在GaN有源层中加入少量的In可以使发光效率有很大提高。1.3.2AI,Gal.。N材料的性质Al。Gal.xN材料是有纤锌矿结构的直接带隙宽禁带半导体,它具有从3.4—6.2eV范围内可调的直接带隙,这使得它非常适合于制作可见光范围的短波到紫外波段的光电子器件。由于Al。G硼一xN合金的禁带宽度大于GaN材料的禁带宽度,因此在Al。G81.xN/0aN/AlxGal.xN双层量子异质结中G吕N材料为有源层。与GaAs相比,GaN材料具有电子峰值速率和饱合速率大、热稳定性高等优点。尤其是Al;Gal.xN,GdN异质结界面处巨大的导带不连续性以及Al。G8l_xN佑aN异质结构体系非常强的极化效应,提供了一个很深的量子阱和很高浓度的二维电子气(2DEG),因此是发展高温、高频、大功率电子器件和高电子迁移率场效应器件(HEMT)的理想结构功能材料。正因为如此,对A1。Gal-xN/GaN量子异质结的研究已经成为当前的热点。GaN,Al。Gal—xN异质结体系的界面导带不连续性和极化效应与Al;Gal—xN势垒层中Al含量密切相关,Al含量的改变将影响局域在GaN舱l。Gal.xN量子点中的电子和激子的性质。因此研究局域在GaN缓l。Gal.xN量子点中的电子和激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中的Al含量之间的关系将对一些光电子器件的设计和制造有一定的指导意义。
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