子点的尺寸和电子的德布罗意波长(或电子的非弹性散射平均自由程、体相激子的波尔半径)相比拟时,其中的电子、空穴和激子等载流子的运动受到强量子封闭性的限制,同时皆致其能量的增加,而且电子结构也将从体材料的连续能带结构变成类似于分子的准分裂能级,并且由于能量的增加,使原来的能隙增加,即吸收光谱向短波长方向移动,即半导体量子点的带隙相对于体材料有较大的蓝移,并随着尺寸的减小,蓝移量变大、量子点的发光强度也就进一步增加。在光学性质方一面引起光吸收谱和光致发光谱峰的蓝移等现象。迄今为止,在理论上,人们已从固体能带理论和量子力学理论出发,采用各种模型和方法,对各种量子点的电子结构进行了尝试性的研究,从而深刻揭示了量子点所具有的量子尺寸效应。在实验方面,人们已利用共振光散射、远红外激发和磁阻振荡等方法对量子尺寸效应进行了实验验证。本文中,我们研究了量子点尺寸效应对lII.v氮化物量子点的激子非线性光吸收性质的影响。1.2.2量子隧穿效应微观粒子具有贯穿势垒的能力称为隧道效应。传统的功能材料和元件由于其物理尺寸远大于电子的自由程,因此测的是群电子输运行为,具有统计平均结果,所描述的性质主要是宏观物理量。而当微电子器件进一步细微化时,就必须要考虑量子隧道效应。目前,微电子技术发展的极限为lOOnm,原因是电子在纳米尺度空间中将表现出明显的波动性,其量子效应将起主要作用。电子在纳米尺度空问中运动,由于物理线度与电子自由程相当,载流子的输运过程将有明显电子的波动性,出现量子隧道效应,电子的能级是分立的。在制造量子器件时,要实现量子效应,尺寸要求在几个啪到几十个nm的微小区域形成纳米导电域。电子被“锁”在纳米导电区域,电子在纳米空问中显出的波动性产生了量子限域效应。纳米导电区域之问形成薄薄的量子垫垒,当电压很低时,电子被限制在纳米尺度范围运动,升高电压可以使电子越过纳米势垒形成费米电子海,使体系变5
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