0Р3.5Р3Р6Р260Р43.3Р纯铜Р陶瓷Р70Р4.0Р3Р6Р225Р37.5Р备注:纯铜含铜率≥99.99%Р由工作气压与沉积率的关系表可以看出:在其他参数不变的条件下,随着工作气压的增大,沉积速率先增大后减小。在某一个最佳工作气压下,有一个对应的最大沉积速率。Р3.5.1试验结果分析Р气体分子平均自由程与压强有如下关系Р其中为气体分子平均自由程, k为玻耳兹曼常数,T为气体温度, d为气体分子直径, p为气体压强。由此可知,在保持气体分子直径和气体温度不变的条件下,如果工作压强增大,则气体分子平均自由程将减小,溅射原子与气体分子相互碰撞次数将增加,二次电子发射将增强。Р而当工作气压过大时,沉积速率会减小,原因有如下两点:Р(1)由于气体分子平均自由程减小,溅射原子的背反射和受气体分子散射的几率增大,而且这一影响已经超过了放电增强的影响。溅射原子经多次碰撞后会有部分逃离沉积区域,基片对溅射原子的收集效率就会减小,从而导致了沉积速率的降低。Р(2)随着Ar气分子的增多,溅射原子与Ar气分子的碰撞次数大量增加,这导致溅射原子能量在碰撞过程中大大损失,致使粒子到达基片的数量减少,沉积速率下降。Р3.6结论Р通过试验及对结果的分析可以得出如下结论:在其他参数不变的条件下,随着工作气压的增大,沉积率先增大后减小。在某一个最佳工作气压下,有一个对应的最大沉积率。Р虽然以上工作气压与沉积率的关系规律只是在纯铜靶材和陶瓷基片上得到的,但对其他不同靶材与基片的镀膜工艺研究也具有一定的参考价值。Р参考文献Р[1]王增福. 实用镀膜技术. 电子工业出版社,2008.Р[2]程守洙,江之永. 普通物理学. 北京:高等教育出版社, 1982.Р[3]严一心,林鸿海. 薄膜技术. 北京:兵器工业出版社,1994. Р[4]KumruM.[J ].Thin Solid Films.1991.
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