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磁控溅射法制备ITO膜的研究(毕业设计论文doc)

上传者:似水流年 |  格式:doc  |  页数:31 |  大小:0KB

文档介绍
子的能量都变得很小,加之在克鲁克斯暗区中通过碰撞电离产生的大量慢速电子也进入同一区域,因此形成了大量电子的堆积,由于负空间电荷的作用使电子运动速度减慢,于是激发几率增大,发光增强。此外,慢速电子与从克鲁克斯暗区扩散过来的慢速正离子有较高的复合几率,这种复合也以发光的形式释放出电离能,因而产生明亮的辉光区,称为负辉区。出于电子在负辉区损失了很多能量,在进入新的区域以后,便没有足够的动能使气体产生激发。该区中的电子和离子密度也较负辉区小,电场也很弱,激发和复合的几率都比较小,所以发光远较负辉区弱,称为法拉弟暗区。因法拉第暗区的电场比克鲁克斯暗区弱,故该区也比克鲁克斯区长。经法拉第暗区便是正柱区,在正柱区任何位置的电子浓度与正离子浓度相等,故又称等离子区。而后的光区和暗区的形成,基本上与前述原理相同。Р其中,暗区相当于离子和电子从电场获取能量的加速区,而辉光区相当于不同粒子发生碰撞、复合、电离的区域。Р 辉光区放电的各区域中,最重要的是阴极位降区,它包括阿斯顿暗区、阴极辉区和克鲁克斯暗区三个区域。由于电子到达克鲁克斯暗区时具有相当大的动能,在与气体碰撞时产生比较强烈的碰撞电离,电子以较快的速度移开,使得这里具有很高的正离子浓度,从而引起电场的严重畸变,结果阳极和阴极间的电压降大部分都集中在负辉区和阴极之间,维持整个放电所必需的基本过程都由这里完成。Р图2-4 帕邢(Paschen)曲线(放电电压VS与气压P和极间距离d之积的实验曲线)Р辉光放电可分为正常辉光放电和异常辉光放电两类。正常辉光放电时,由于放电电流还未大到足以使阴极表面全部布满辉光,因此随电流的增大,阴极的辉光面积成比例地增大,面电流密度jk和阴极位降Vk则不随电流的变化而改变。在放电的其他条例保持不变时,阴极位降区的长度dk随气体压强成反比变化。异常辉光放电时,出于阴极表面全部布满了辉光,电流的进一步增大,必然导致j

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