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(最新)磁控溅射制备纳米二氧化钒半导体薄膜及表征

上传者:徐小白 |  格式:pdf  |  页数:3 |  大小:0KB

文档介绍
deposition [J]. Journal ofР基本上被蒸发掉,时间控制在 1~6 h 之间能够制 Physical Chemistry B, 2004, 108(28): 9795-9800.Р备出含有成分的薄膜溅射衬底温度[8] Lee K, Wang Y, Cao GH. Dependence ofР VO2 。Р electrochemical properties of vanadium oxide films onР150℃,然后 450℃氩气气氛退火 2.5 h,能制备出Р their nano-microstructures [J]. Journal of PhysicalР高质量的 VO 薄膜。Р 2 Chemistry B,2005,109(35): 16700-16704.Р!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!Р 高薪诚聘Р INFICON 公司是世界著名的真空仪器设备制造商,在美国,德国,瑞士设有生产基地,在全球有完善Р的销售维修网络。为了满足业务快速发展的需要, INFICON 北京办事处诚聘北方区销售经理:一名。负责РINFICON 公司产品在北方区的销售和市场开发。Р 要求:(1) 理工本科或以上学历( 真空或电子专业者优先)Р (2) 5 年以上市场销售工作经验, 真空行业从业经验者优先。Р (3) 优秀的英文听、说、写能力。Р (4) 诚实有责任心, 兼具团队合作精神Р 对应聘人员没有户籍要求,INFICON 公司为应聘合格人士提供良好的培训和优厚的薪资待遇。有Р意者请将中、英文资料寄往以下地址:Р 英福康公司北京代表处Р 地址:北京市东三环北路八号,亮马大厦办公楼 1-1608 室,邮编: 100004Р 或 Email:john.zhao@Р 公司网站:Р (英福康公司供稿)

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