型半导体。当掺入一个B,少一个电子,不得不向其它Si原子夺取一个电子补充,这就在Si原子中造成空穴,叫受主型杂质,这个空穴也仅增加一点能量就能把价带中电子吸过来,它的能量状态在禁带下部靠近价带顶部一个附加能级,叫受主能级,叫P型半导体,自由电子,空穴都是晶体一种缺Р图1.2 施主能带图1.3 受主能带Р点缺陷在实践中有重要意义:烧成烧结,固相反应,扩散,对半导体,电绝缘用陶瓷有重要意义,使晶体着色等。Р②线缺陷Р实际晶体在结晶时,受到杂质,温度变化或振动产生的应力作用或晶体由于受到打击,切割等机械应力作用,使晶体内部质点排列变形,原子行列间相互滑移,不再符合理想晶体的有序排列,形成线状缺陷。Р位错直观定义:晶体中已滑移面与未滑移面的边界线。Р这种线缺陷又称位错,注意:位错不是一条几何线,而是一个有一定宽度的管道,位错区域质点排列严重畸变,有时造成晶体面网发生错动。对晶体强度有很大影响。Р位错的基本类型及特征Р位错主要有两种:刃型位错和螺型位错。Р1. 刃型位错Р图1.4 刃型位错图1.5 刃型位错截面的晶格情况Р其形式可以设想为:在一完整晶体,沿BCEF晶面横切一刀,从BC→AD,将ABCD面上半部分,作用以压力δ,使之产生滑移,距离(柏氏矢量晶格常数或数倍)滑移面BCEF,滑移区ABCD,未滑移区ADEF,AD为已滑移区交界线—位错线。Р正面看简图:如上图Р滑移上部多出半个原子面,就象刀刃一样(劈木材)称刃型位错。Р特点:滑移方向与位错线垂直,符号⊥,有多余半片原子面。Р2. 螺型位错Р其形成可设想为:在一完整晶体,沿ABCD晶面横切一刀,在ABCD面上部分沿X方向施一力δ,使其生产滑移,滑移区ABCD未滑移区ADEF,交界线AD(位错线)Р图1.6 螺型位错图1.7 螺型位错滑移面上的原子排列Р特点:滑移方向与位错线平行,与位错线垂直的面不是平面,呈螺施状,称螺型位错。
全文预览
