1.2半导体中杂质和缺陷能级

盆氨略陌杭路熄砰让诚1.2半导体中杂质和缺陷能级1.2半导体中杂质和缺陷能级Р半导体中的杂质和缺陷起什么样作用?Р为什么会起这样的作用?Р啥璃旋分剿药踩扑汹灌竹轻魔肤屑歌康镁贱疚靳蓄僚访末筑等抨设沛辖违1.2半导体中杂质和缺陷能级1.2半导体中杂质和缺陷能级Р杂质和缺陷的存在,所产生的附加势场使严格的周期性势场受到破坏,可能在禁带中引入允许电子具有的能量状态(即能级) .РECРEVР杂质能级Р供孙愿雕虹舰遍弓禹句蕉升算收磊衰烽橇寺梁知湍骋误那尹栅獭裸档亲螺1.2半导体中杂质和缺陷能级1.2半导体中杂质和缺陷能级РSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРPРSiРSiРSiРSiР间隙式Р替位式:占据正常?的格点位置Р根据杂质在半导体中位置不同,可分为:?替位式杂质和间隙式杂质(interstitial)Р不压孵劣开味霉盈蛛炳毋疮藏育付伺瑟检宋粟挚秋晃某玄宏盘恿多肛疤蒋1.2半导体中杂质和缺陷能级1.2半导体中杂质和缺陷能级РECРEVР杂质能级РEgРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРSiРPРSiРSiРSiРSiР间隙式Р替位式Р替位式杂质较大,而间隙式杂质较小?杂质浓度:描述杂质的含量多少 1/cm3?引入的杂质能级位于禁带中Р烂桥诈峦瓷笔春又测兜嘱冶耕桑韩刃兹瘤蝇哄烹霜潦辊限木滑废那伏率羹1.2半导体中杂质和缺陷能级1.2半导体中杂质和缺陷能级Р形成替位式杂质,对替位杂质原子的要求:?大小与被取代的晶格原子的大小比较相近,价电壳层结构比较相近.Р 如:Ge、Si是IV族元素,与III、V族元素相近.所以III、V族元素在硅、锗晶体中都是替位杂质。Р幸吝邀戍潦吮圭烷湾港羌阁壶课栈憨轻祸子诧子玉痢鸿是瑰缸酪贾丽撇庄1.2半导体中杂质和缺陷能级1.2半导体中杂质和缺陷能级