, 将欲拉制的化合物材料盛于石英坩埚中, 上面覆盖一层透明而黏滞的惰性熔体, 将整个化合物熔体密封起来, 然后再在惰性熔体上充以一定压力的惰性气体, 用此法来抑制化合物材料的离解, 用这种方法技术可以拉制 GaAs 、 InP 、 GaP 等大直径单晶。目前用这种方法可拉制出直径 150mm, 重达十几千克的 GaAs 单晶, 无错位的 GaAs 单晶直径可达 100mm 。 GaAs 单晶薄膜的制备主要是应用外延生长技术, 包括液相外延(LPE) 、气相外延(VPE) 、分子束外延(MBE) 、金属有机化合物化学淀积(MOCVD), 外延材料质量大大提高。外延工艺是器件制作的关键工艺, 可在单晶衬底上生长不同材料、不同薄膜厚度的单晶 bm 层。[4] GaAs 外延工艺具有生长温度低、原料能得到有效提纯、杂质污染少、可控掺杂等特点,可以得到任意厚度、完整性好和均匀性好的外延片。[5] 4. 结论新型半导体材料 GaAs 的发展规律趋势是增大晶体直径, 提高材料的电学和光学微区均匀性。尽管 GaAs 材料也存在一些不利因素,如: 材料熔点蒸气压高、组分难控制、单晶生长速度慢、材料机械强度弱、完整性差及价格昂贵等, 然而其所具有的独特性能及在军事、民用和产业等领域的广泛用途, 都极大的引起各国的高度重视, 并投入大量资金进行开发和研究。我国应随着我们的经济和国力的发展而加快该领域的发展,尽快赶上世界水平。参考文献[1] 李言荣,恽正中.电子材料导论.北京:清华大学出版社, 2001 [2] 杨树人,王宗昌,王兢.半导体材料.北京:科学出版社, 2004 [3] 周馨我.功能材料学.北京:北京理工大学出版社, 2002 [4] 赵连城,国风云.信息功能材料学.哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社, 2005 [5] 殷景华,王雅珍.功能材料概论.哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社, 2002
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