沟长调制和体效应这样的二级效应。Р1.1 共源级Р采用电阻负载的共源级(少,因为工艺上电阻不好制作)?带二极管接法负载的共源级(缺点是增益不大)?采用电流源负载的共源级?工作在线性区的MOS为负载的共源级(少,线性电阻影响因素很多,无法确定)?带源级负反馈的共源级Р1.1.1采用电阻负载的共源级Р概念: M1的栅源之间输入电压信号Vin,通过NMOS的跨导放大,在漏极得到一个小信号电流。电流通过负载电阻产生电压输出。输入栅源电压,输出栅漏电压共源放大。Р共源级电路Р(1)如果输入电压从零开始增大,M1截止,?VOUT=VDD。Р(2)Vin增大到超过并接近VTH时,M1饱和Р当Vin继续增大,Vout继续减小,这时?还处在饱和区,直到比高出Р即在下图中的A点,在A点满足:Р从上式可以计算出Vin1-VTH,并进一步?计算出VoutР(3)当Vin>Vin1时,M1工作在线性区:Р(4)如果的值足够高而进入深线性区, ,并从? 下图的等价电路中可得:Р=Р工作在线性区时跨导会下降,所以我们通常要确保Р根据饱和时的公式我们可求出小信号增益Р=Р=Р增益随Vin的线性增加,当输入信号摆幅较大时引入非线性Р跨导随输入电压的变化Р饱和区Р=Р线性区Р增益最大化РAv=Р增大W/L;器件电容增加。?增大VRD;输出摆幅减小。?减小ID;RD增加,输出节点的时间常数增加。Р沟道长度调制效应Р若代入饱和区公式时,考虑沟道长度调制效应,则:Р=Р使用近似公式;Р再根据Р结论:增益和跨导gm、输出阻抗成正比。Рgm随Vin线性上升,因此增益是非线性的。Р小信号分析Р很容易得到增益:Р输出阻抗:输入为零时,在输出加电压激励,得到电流Р理想电流源负载Р假定I1是理想电流源,M1处在饱和区。Р因为Р所以Р这称为晶体管的“本征增益”,代表单个晶体管能?达到的最大增益。一般,Р问题:Vout=?
全文预览
