芯片封装原理及分类

Conduction?RadiationРConductionРJunctionРXРθjxР芯片的详细模型Р建立所有芯片内部所有影响传热的结构РDieР硅或砷化镓材料,表面有发热集成电路Р通常为环氧树脂,厚为1-2milРDie AttachР铜制,用于加强传热或其它目地РDie Flag/Die PadРEncapsulantР通常为环氧树脂材料Р金或铝制,数目等同于外面管脚数РBond WiresРSolder BallsР通常材料为锡?铅合金95Pb/5Sn? 或37Pb/63Sn.Р铜或铝42合金制РLeadframesРSubstrateР通常由BT\FR4制成(塑料芯片);?或氧化铝制成(陶瓷芯片)РPBGA封装模型的建立РPBGA封装特点??anic substrate?使用焊球(Solder balls)作为二级互联?主要应用: ASIC’s, 内存, 图形显示,芯片组,通讯等.РPBGA封装优缺点??I/O密度高;?基片材BT具有较好的电性能;?加工工艺类似PCB板,成本低廉?非气密封装,不适合于长时工作的芯片或军用芯片?Die与基片(Substrate)间的CTE不匹配?如功耗大于2W,则可能需要加强散热手段Р主要类型的PBGA封装РWire-Bonded PBGA (Die-up)РBT DielectricРThermal ?ViasРSolder Balls ?(37Pb/63Sn)РEpoxy-based ?EncapsulantРSilicon DieРDie Attach & ?Solder MaskРGold ?Bond WiresРCu TracesРPower & Ground ?PlanesРBottom ?SpreaderРDie ?FlagРSignal ?ViasР最主流的PBGA封装,相对成熟的加工技术,可处理5W以上热耗。