4.5 短沟道效应和窄沟道效应Chapter4 MOSFET

析中采用以下经验公式表示 v v y y: : Cy sly cy E E y eff yEEVv EE Ev C y?????|| ||1 || ||?μ eff =μ S为低场表面迁移率( 不考虑寄生因素),E C为速度饱和临界电场。( ( 4-235 4-235 ) ) 10 10 22:57 22:57 半导体器件原理 ch4-5 短沟道效应和窄沟道效应郭伟玲 4.5 4.5 短沟道效应和窄沟道效应短沟道效应和窄沟道效应 Chapter4 MOSFET 当当V V GS GS> >V V T T 且继续增大时,垂直方向的电场且继续增大时,垂直方向的电场 E E x x增大,表面增大,表面散射进一步增大, 散射进一步增大, ??将随将随 V V GS GS的增大而下降, 的增大而下降, 式中, 式中, A A、、V V GS GS对对??的影响的影响当当V V GS GS 较小时, 较小时, 体内表面体内???? 2111 0???电场??? 111 0?? T GSVV K??电场? 0 0 0 0 0 0 GS T 0 GS T K 1 1 ( ) 1 V V V V K V ? ?? ???? ?? ??? ?????? ???电场电场电场式中, 式中, 2 0 K 600cm /V s 30V V ?? ??, N N沟道沟道 MOSFET MOSFET 中的典型值为中的典型值为。时, 当 0 K T GS2 1?????VVV 0 K? KV? 3 3.迁移率调制效应.迁移率调制效应