РРРРРРРРРРРРРР+4Р+4Р+4Р14.1.1 本征半导体РР二、本征半导体的导电机理Р在绝对0度〔T=0K〕和没有外界激发时，价电子完全被共价键束缚，本征半导体中没有可以自由运动的带电粒子〔即载流子〕，它的导电才能为 0，相当于绝缘体。Р在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。Р1.载流子、自由电子和空穴Р14.1.1 本征半导体РРРР+4РРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРР+4Р+4Р+4РРРР自由电子Р空穴Р束缚电子Р自由电子、空穴成对出现Р14.1.1 本征半导体РР2.本征半导体的导电机理РРР+4РРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРРР+4Р+4Р+4РРРР在其它力的作用下，空穴可吸引附近的电子来填补，其结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的挪动，因此可认为空穴是载流子。Р本征半导体中存在数量相等的两种载流子：自由电子和空穴。РРР自由电子：在晶格中运动；空穴：在共价键中运动РРР14.1.1 本征半导体РР温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电才能越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。Р本征半导体的导电才能取决于载流子的浓度。Р本征半导体中电流由两部分组成：Р1. 自由电子做定向运动所形成的电子电流。? 2. 仍被原子核束缚的价电子填补空穴形成的空穴电流。Р14.1.1 本征半导体РР14.1.2 N 型半导体和P 型半导体Р在本征半导体中掺入某些微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子的浓度大大增加。РP 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为〔空穴半导体〕。РN 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为〔电子半导体〕。
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