与特点Р④HBT的典型异质结构：?a.突变发射结；?b.缓变发射结；?c.缓变发射结，缓变基区；?d.突变发射结，缓变基区。?⑤HBT的特性：（与BJT相比）?a.高注入比；?b.高发射效率；?c.高电流增益；?d.高频、高速度。РHBT的典型结构图РР第四页，共24页。РРР4.1 HBT的基本结构Р4.1.2 突变发射结HBTР图4.2 (a) 突变发射结HBT的能带图图Р①器件特点：? 基区渡越初始速度高?②基区输运模型：? 弹道式渡越?③晶格散射的影响：?④电流增益β：? 高的β?⑤ΔEc：? 应小于基区导带的? 能谷差EL-EΓРР第五页，共24页。РРР4.1 HBT的基本结构Р4.1.3 缓变（渐变）发射结HBTР图4.2 (b) 渐变发射结HBT的能带图Р①电流输运：扩散模型?②发射极电流：?③发射效率：?④电流增益：РР第六页，共24页。РРР4.1 HBT的基本结构Р4.1.3 缓变（渐变）发射结HBTР⑤频率特性：РτE为发射结电容充放电时间；?τB为渡越基区的时间；?τC为集电结电容的充放电时间；?τd为集电结耗尽层渡越时间（信号延迟时间）。Р小信号下影响fT的主要因素：РР第七页，共24页。РРР4.1 HBT的基本结构Р4.1.4 缓变发射结、缓变基区HBTР①缓变发射结：?②缓变基区：?③自建电场：РР第八页，共24页。РРР4.1 HBT的基本结构Р4.1.3 缓变（渐变）HBTР④速度过冲；⑤基区渡越时间；⑥电流增益；?⑦缓变基区的作用；⑧缓变基区的形成Р4.1.4 缓变发射结、缓变基区HBTРР第九页，共24页。РРР4.1 HBT的基本结构Р4.1.5 突变发射结、缓变基区HBTР①两个重要的影响因素：?②总的τB：?③ΔEC和ΔEgB要适中：?④νd与ΔEC和ΔEgB的关系 ：?⑤电流增益：РР第十页，共24页。
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