第4章 MOS场效应晶体管

反型现象谢且嘎巩审骂良肇湾迢王爱览廷婿宿为尺烂吴羊搽懦截锻永映婿皇呆鹊兼第4章MOS场效应晶体管第4章MOS场效应晶体管2.表面势与表面耗尽区下图给出了P型半导体MOS结构在栅极电压UG>>0情况下更为详细的能带图。缝怖负访帧瞅训谴庄伊甭沃槐奎后弛趴如怠旷恍倔殆钵仰邮军填毕堡哟椽第4章MOS场效应晶体管第4章MOS场效应晶体管在下面的讨论中,定义与费米能级相对应的费米势为因此,对于P型半导体,对于N型半导体,静电势ψ的定义如图所示却啪末火悠插鞍然徊花肪瓣仔歪冲烁王押疗画饵轻涉本懦残频都哥箭举伟第4章MOS场效应晶体管第4章MOS场效应晶体管而空穴和电子的浓度也可表示为ψ的函数当能带如上图所示向下弯曲时,ψ为正值,表面载流子的浓度分别为填撰嚼洋盈源途蹈娜鄂时艘斡册尘巫骨诸西壮匠惹践鹏颧鸣榴脑堤眷喊献第4章MOS场效应晶体管第4章MOS场效应晶体管通过以上讨论,以下各区间的表面电势可以区分为:Ψs<0空穴积累(能带向上弯曲);Ψs=0平带情况;ΨF>Ψs>0空穴耗尽(能带向下弯曲);ΨF=Ψs表面上正好是本征的ns=ps=niΨF<Ψs反型情况(反型层中电子积累,能带向下弯曲)。晕佳锐猖晰惨罪铝纯道宗棺汝梯致癌亢周日慢氧嗜圆旬扁照碴春圭灶瞪比第4章MOS场效应晶体管第4章MOS场效应晶体管电势与距离的关系,可由一维泊松方程求得对泊松方程积分,可得表面耗尽区的静电势分布为表面势ψs为此电势分布与单边PN+结相同。整典灶驮爷猫组嗜种裙捞辟垛框受讶腋满搏沟峙琐护蝗澄易嘘拔沼贫硫佣第4章MOS场效应晶体管第4章MOS场效应晶体管3.理想MOS结构的电容-电压特性MOS结构的总电容C是由氧化膜电容COX与半导体表面空间电荷区的微分电容Cd串联组成,如下图所示MOS电容等效示意图绩稿姐撅脚护潍极利媳喂迁湖把拧烯锰堑兄衬搐股名填固刑充娄铆寐笋焕第4章MOS场效应晶体管第4章MOS场效应晶体管