РSiРSiРSiРSiР价电子РSiРSiРSiРSiР价电子Р价电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后,即可挣脱原子核的束缚,成为自由电子(带负电),同时共价键中留下一个空位,称为空穴(带正电)。Р本征半导体的导电机理Р这一现象称为本征激发。Р空穴Р温度愈高,晶体中产生的自由电子便愈多。Р自由电子Р在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当于空穴的运动(相当于正电荷的移动)。Р本征半导体的导电机理Р当半导体两端加上外电压时,在半导体中将出现两部分电流? (1)自由电子作定向运动电子电流? (2)价电子递补空穴空穴电流Р注意:? (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差;? (2) 温度愈高, 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以,温度对半导体器件性能影响很大。Р自由电子和空穴都称为载流子。? 自由电子和空穴成对地产生的同时,又不断复合。在一定温度下,载流子的产生和复合达到动态平衡,半导体中载流子便维持一定的数目。Р14.1.2 N型半导体和 P 型半导体Р掺杂后自由电子数目大量增加,自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式,称为电子半导体或N型半导体。Р掺入五价元素РSiРSiРSiРSiРp+Р多余电子Р磷原子Р在常温下即可变为自由电子Р失去一个电子变为正离子Р在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素),形成杂质半导体。Р在N 型半导体中自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。Р14.1.2 N型半导体和 P 型半导体Р掺杂后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或 P型半导体。Р掺入三价元素РSiРSiРSiРSiР在 P 型半导体中空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。РB–Р硼原子Р接受一个电子变为负离子Р空穴Р无论N型或P型半导体都是中性的,对外不显电性。
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