第2章半导体三极管

源源不断地越过发射结到达基区,基区的多子空穴源源不断地越过发射结到达发射区,由电子电流和空穴电流共同形成了发射极电流IE。?电子在基区扩散与复合形成IBN的过程?由发射区扩散到基区的电子浓度,靠近发射结的要高于靠近集电结的,又形成了浓度差,这样电子要向集电结继续扩散。在扩散过程中,绝大部分电子扩散到集电结边沿,很少部分电子与基区的多子空穴复合,复合掉的空穴由基区电源VBB补充,从而形成基极电流IBN。?的过程?集电结反偏,使内电场增强,因此一方面阻止了集电区电子向基区扩散,另一方面将基区扩散到集电结边沿的电子收集到集电区,。РIEРIBNРICNР第2章半导体三极管Р通过三极管内部载流子的运动可知三极管各极电流的关系? IC=ICN+ICBO ? IB=IBN-ICBO? IE=ICN+IBN=IC+IB?对于PNP管,三个电极产生的电流方向正好和NPN管相反Р第2章半导体三极管Р2.2.2 电流放大作用Р由于基区很薄,掺杂少,空穴浓度很低,从发射区发射到基区的电子(IE),只有很小一部分在基区复合,形成IBN。Р第2章半导体三极管Р共发射极直流电流放大系数Р由于 IC=ICN+ICBO,IB=IBN-ICBOР所以 IC=РIB+ (1+Р)ICBOР当ICBO可以忽略不计时,可得Р把集电极电流的变化量与基极电流的变化量的比值称为三极管共发射极交流电流放大系数,用表示。Р第2章半导体三极管Р通常情况下,β=20~200。Р在分析估算放大电路参数时取Р=Р综上:有一小IB就可以获得大IC,实现了小基极电流控制大集电极电流,这就是三极管的电流放大作用。也证明了三极管是电流控制器件。当输入电压变化时,会引起输入电流(基极电流)的变化,在输出回路将引起集电极电流较大变化,该变化电流在集电极负载电阻 RC 上产生较大的电压输出。这样,三极管的电流放大作用就转化为电路的电压放大作用。