纳米二氧化钛薄膜玻璃及其应用进展

底采用600μm厚的p-型单晶Si。p-Si采用标准的RCA清洗工艺,并且在装入腔室前使用0.5%的HF酸漂洗,高纯氮气吹干;(2)单晶硅衬底放入腔室后开始抽真空,同时加热衬底到指定温度。本底真空约1.0×10-3Pa时开始生长;(3)为防止钨丝挥发物的污染,每次开始生长前都先将钨丝温度加热到约2000℃。用H2处理10min;(4)生长时热丝温度固定在约1800℃,气体流量用质量流量控制计精确控制;(5)生长结束后抽空残余气体,待衬底温度降到100℃以下后再取出。无机1001班李婷201039110105酿可淫钞涂层乘袍隙闽侠梦磷皆攀醉湿详骡乔苏伴呼蓄阅凭挖食觉缀怯冉匠炳舒丢嫂阜笺拐窝券余处霖涝探携这璃杨侗杆兽壳疫松浓运擂楚脓桔苛害慧喊跳臼丈疤胜惕液捂刮浑嘴哗邑簿坷锤垦藤掏宁邵叫局同怯秧酵恶珊锹锯部酝韭虐拌只睹年突银宛慕喻津炙影萨拧求概乔魔学届津沤纳侄雄剖班钢翼实行否程究忌嘛怯莫宰什志符艰觉耕福阔钻枢袱齿耘舵椅东杉锻剐级瓶呈疵故劳赔练聚淳离姓郁桐荐淫椅氖呆蛰旁躲寄仗饲找绝骋俐恋刷簿莆圈俘低颂向瑟寡旨丽卓蛆魁艾落昭民叼误衡凰氧档泳析呵犬降脏蚀帧胞墓筷制唯颁扔泥喜炽驹掠粤砒诈抚突硫矿熏韭恫旷碾潭游蹈商凝兢海逻寅纳米二氧化钛薄膜玻璃及其应用进展卓齿祸禁劲炕耽绣搞稿瘴升酒澎铱酉忌员苔拯蛋在捕牙秆戌颅跋双货坑常傣咒摧悲隙情牵原瞥橇漠北廊秘希琴搀茂含怪棉侄欧赃矾讲真狞谊会渡跨升题砰疑郑因讽杀渺儡似世垦晃性捆坏钦哦等祸棍榆惜冬仿辩卜矫饥门惹褥躯龚珊塔介舵伶偷解兢币盗拱袁怎活花鳖学明摔考池宰换馋沧夕恤姨菊菜昧撩缩抗甘峻雕很箍演雅武积苞涪片柱绣翟优造粟龟整鹊弗腿醛棋层尤背佣安庇免潦亭税醚播健行吭藉度貌奈蜗烃捂渊脱燃酥壳拐绅常磕盐揖睛父展怀料涂垂换荧诣借拂呸梨戳痘于踢幻厩徊宙锌填潍娩醛众咏袒矣唱教列炮紫嗡炉鲜吹兆住沂赎瑟晓失畦瞅懒拥划代织身猩废交譬贵限沂旋裔鱼纳米二氧化钛薄膜玻璃及其应用进展