浓度对氧化铜薄膜的定向生长有显著的影响,浓度越高,氧化铜薄膜的 c 轴定向生长特征越强。该法无需高真空,工艺简单、经济。喷雾热分解还有一个很大的优点, 即掺杂物质可按一定化学配比与醋酸锌一起溶解于溶剂中,比较容易实施化学剂量的掺杂。可获得电学性能极好的薄膜,亦可得到具有某些特定性能的氧化铜薄膜。如掺入 Al、 Sn等元素可得到氧化铜薄膜的气敏元件。喷雾热分解作为一种可以有效实施掺杂的氧化铜成膜技术,有望广泛应用于氧化铜薄膜的掺杂以及其特性的研究中,由于其生长成本低,所以具有很大的产业化的应用前景[7]。(5)热蒸发镀膜法蒸发镀膜就是在一定的真空条件下,通过电流加热使薄膜材料蒸发成为原子或分子,它们随即以较大的自由程作直线运动,碰撞基片表面而凝结,形成一层薄膜.在真空镀膜中,飞抵基片的气化原子或分子,除一部分被反射表面上.被吸附的原子或分子在基片表面上进行扩散运动,一部分在运动中因相互碰撞而结聚成团,另一部分经过一段时间的滞留后,被蒸发而离开基片表面.聚团可能会与表面扩散原子或分子发生碰撞时捕获原子或分子而增大,也可能因单个原子或分子脱离而变小.当聚团增大到一定程度时,便会形成稳定的核,核再捕获到飞抵的原子或分子,或在基片表面进行扩散运动的原子或分子就会生长.在生长过程中核与核合成而形成网络结构,网络被填实即生成连续的薄膜.显然,真空度的大小、基片的表面条件(例如清洁度和不完整性) 、基片的温度以及薄膜的沉积速率都将影响薄膜的质量.此方法易操作且成本低廉,适合用于大规模工业生产。综上所述,制备氧化铜薄膜有很多方法,但不同方法和工艺制备的氧化铜薄膜具有不同的微结构、晶粒取向和大小以及缺陷等,这些都会影响其压电、光电等特性。要选择一种适合低成本、大面积的制备均匀氧化铜薄膜的技术,蒸发镀膜法是比较合适的技术之一。本研究拟用蒸发镀膜技术来制备氧化铜薄膜,并检测、分析其基本性能[7]。
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