品的技术。纳米科技是科技发展的一个新兴领域,它不仅仅是将加工和测量精度从微米级提高到纳米级的问题,而是在人类对自然的认识和改造方面,从宏观领域进入到物理的微观领域,深入到了一个新的层次,即从微米层次深入到分子、原子级的纳米层次。例如世界上最新的超大规模硅集成电路的最小线宽为0.13μm,如果将线宽缩小到80nm以下时,将会呈现量子效应,所有芯片必须按照新的原理来设计。这种纳米尺度上制造出来的计算机性能,与目前微米技术下的计算机性能相比呈现指数级提高。当粒子尺寸减小到纳米尺度某一临界值时,将会出现量子尺寸效应,导致纳米微粒的光、电、磁、热、声及超导电性与宏观特性显著不同,呈现新的小尺寸效应。例如,光的某些频段吸收将显著增加,并产生吸收峰的等离子共振频移;磁有序态有可能变为磁无序态;导体变为半导体或非导体;力学性能显著变化;化学活性急剧增加等。于细微处显神奇的纳米技术,已经悄悄地进入了人们的生活中衣、食、住、行、用等方方面面,甚至将影响人们的传统思维方式和生活方式。可以预见,纳第一章序论 2米时代已不是遥远的未来,以纳米科技为中心的新科技革命必将成为21世纪的主导。本文主要介绍了半导体材料表面纳米结构的制备及相应结构的光学性质方面的研究工作。利用两步化学刻蚀的方法成功制备了单晶InP方形纳米孔阵列,并对其真空热退火的光学性质作了简单的探讨。同时利用电化学刻蚀方法我们也对GaAs材料的形貌和光学性质作了比较详细的研究。本文安排如下:第一章介绍论文的研究方向和内容;第二章简单介绍纳米材料和相关探测方法以及实验中使用的一些仪器;第三章介绍了单晶磷化铟方形纳米孔阵列的制备与形成机理研究;第四章讨论了单晶磷化铟方形纳米孔阵列真空热退火后的光学性质;第五章关注了依赖于刻蚀温度的电化学刻蚀n型砷化镓的光学性质;第六章对研究的结果进行了系统的总结。文中难免有不足之处,望各位老师、同学批评指正。
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