DRAM交错M1半节距达3年。闪存非接触多晶硅半节距领先于DRAM交错接触M1半节距2年时,从光刻工艺的困难程度来讲,它是和领先于DRAM交错接触的M1半节距等效的,所以,这个新增的时间领先就会造成闪存技术推进领先光刻技术的发展。相关“生产年份”的时间定义方面的细节,请参考“术语表”。РРР 2021年路线图表格中的技术趋势目标,已经从2021年开始逐年列写,直至2024年,跨度达15年之久。然而,依据以前的国际路线图工作组确立的指导方针,2021年路线图保持了对技术趋势周期的定义,这个周期的时间就是达成工艺技术重大进步所需的时间。更清楚地说,技术趋势周期时间继续被定义为每七天期实现大约倍的缩小所需的时间。请参考图6和图7。Р 注意,从2021年的路线图技术特征总表的表1和表2就能够看到,技术周期的时间可能对不一样的产品来说是不一样的。比如,在2021年的路线图中依然预期,DRAM交错接触半节距M1依然以2年半一个周期平均降低倍的速度发展,直到2021年/45 nm)。在2021年以后,DRAM M1的趋势估计将每3年缩小倍,直至2024年的9 nm目标。这么,每十二个月的缩小倍数即为倍/年,这个数值能够用于计算中期的每十二个月趋势目标。Р 考虑了可用的PIDS工业调研数据和国际技术工作组及路线图委员会的输入以后,我们对新的闪存产品技术发展时间模型达成了一致,即,基于非接触多晶硅半节距定义。闪存非接触多晶硅半节距在2021年/180 nm时被设定为两年的技术周期,并扩展至2021年/32 nm。光刻工作组继续使用闪存非接触多晶硅半节距推进着工艺设备的发展以实现这个目标,在2021年,预计在数值上“领先”于DRAM交错接触M1半节距3年。在2021年/32 nm以后,闪存非接触多晶硅半节距将变为每三年一个周期,依然是领先DRAM发展趋势3年,直至2024年/ 6 nm。
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