全文预览

半导体技术

上传者:叶子黄了 |  格式:doc  |  页数:22 |  大小:34KB

文档介绍
理及其在失效分析中的应用。 2.1 扫描电子显微镜扫描电子显微镜是运用电子束在样品上逐点扫描, 引起二次电子------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————发射, 再将这些二次电子等信息转换成随试样表面形貌、材料等因素而变化的放大了的信息图像。它与光学显微镜等相比, 具有聚焦景深长、视野大、不破坏样品,并富有立体感,分辨率高,能观察 lOn m 以下的细节,放大倍数可以方便地在 20-10 万倍连续变化等优点,是目前最有效的一种失效分析工具。 2.2 电子微探针电子微探针是利用细电子束作为 X 射线的激发源, 打在要分析的样品表面( 穿透深度一般约 1-3 μ m) , 激发产生出与被打击的微小区域内所包含元素的特征X 射线谱, 通过对特征X 射线波长和强度的分析, 来判断样品的成分和数量情况,对硅中缺陷、 pn 结区重金属杂质沉淀, 半导体材料微区域杂质及扩散层剖面杂质等进行分析, 以确定潜在的失效模式。.3 离子微探针离子微探针是用一次电子束轰击试样, 产生二次离子, 然后按荷质比进行分离, 从而分析出试样的成分, 其取样的深度一般只有 5-2 0 原子层,可用来测定表面污染、表面吸附以及对氧化、扩散薄层、涂层等表面的分析。 4 俄歇电子能谱仪俄歇电子能谱仪的基本原理, 是用低能电子束(1000eV 以下) 轰击被分析的靶材料, 使其释放出具有不同能量的二次电子, 通过能量分析器对其进行能量分析, 测出其能量分布, 得到一系列的能谱, 其中有些峰就是俄歇电子峰, 与光谱分析相似, 根据俄歇电子峰可以决定出某些元素的存在,由峰的强度可以测出该元素的含量。

收藏

分享

举报
下载此文档