满足当前的需求,并促使新技术创新开发。Р 通过合理的集成更大的片上非易失性阻变式存储器(RAMM)到机顶盒、智能卡、监视器以及IP相机等相关技术的有效应用,可以合理的促使当前的技术进行创新,并通过不断的研究与发展,促使当前的高安全性与低功耗的设计方案被制定。Р e Minassian博士曾表示,在当前的时代背景下,物联网技术的发展与可穿戴市场需求的变化,促使当前的市场需求逐渐发生变化,要求微控制器自身需要以安全、节能以及低成本为基础,在不断的发展过程中进行技术创新,以满足当前的需求。Р 而Crossbar RRAM技术的应用,可以有效促使当前的内存模块得到创新,提供片上编成与数据存储嵌入式模块,满足当前的需求,与此同时,该技术还可以充分发挥出自身的优势,甚至单独将其作为当前的РEEPORM内存,通过制定合理的方案,满足当前市场的需求。Р 3 结论Р 本文通过对RRAM专利申请基本情况进行了整理和分析,结果表明该领域受到了国外存储巨头的青睐,美国韩国该领域的研究还在稳步进行,日本在该领域的投入逐年递减,而我国的申请人还主要集中在高校和研究所。我国还须高校紧密联系企业,引进国外顶尖技术人才,解决器件级变化性等关键问题,才能实现在下一代存储器领域弯道超车。Р 参考文献Р [1]王源,等.新一代存储技术:阻变存储器[J].北京大学学报(自然科学版),2011,47(3):565-572. Р [2]Memristor - The Missing Circuit Element [J]. Chua Leon O. IEEE Transactions on Circuits Theory. 1971,18 (5). Р [3]The missing memristor found [J]. Dmitri B. Strukov,etal. Nature. 2008, 453(7191).
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