的制备。Р实验主要仪器设备及材料Р纯水机、超声波清洗机、PECVD;酒精、1号和2号清洗液、硅片。Р实验十二 P-N结结深的测量Р实验目的或实验原理Р了解P-N结结深的各种测量方法和原理,掌握用磨角和染色法测量P-N结的结深的方法。Р实验内容Р1.用磨角器磨角;Р2.对磨角过的样品进行清洗和染色;Р3.在显微镜下对染色过的样品进行测量。Р实验主要仪器设备及材料Р纯水机、超声波清洗机、磨角器;石英粉、1号和2号清洗液、硝酸、硫酸铜HF、样品等。Р序号Р实验Р项目名称Р实验Р性质Р学时Р实验Р地点Р备注Р1Р用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数Р验证Р3Р必开Р2Р四探针法测量电阻率Р验证Р3Р必开Р3РP-N导电类型鉴别Р验证Р3Р必开Р4Р用光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子的寿命τР综合Р3Р选开Р5РMOS结构的高频C-V特性测量Р验证Р3Р选开Р6Р变温霍尔效应测量半导体电学特性Р验证Р3Р选开Р7Р清洗Р综合Р3Р选开Р8Р热氧化方法生长二氧化硅Р综合Р3Р必开Р9Р杂质的热扩散Р综合Р3Р必开Р10Р溅射薄膜淀积Р综合Р3Р选开Р11РPECVD制备薄膜材料Р综合Р3Р选开Р12РP-N结结深的测量Р综合Р3Р选开Р说明:实验性质选项(验证、演示、综合),备注选项(必开、选开)Р三、考核方式及成绩评定Р本课程考核办法分为三部分:实验预习(20%)、实验操作(30%)和实验报告(50%);成绩评定分为五等:优、良、中、及格、不及格。Р四、实验指导书、教材及主要参考书Р1.《半导体器件物理实验讲义》,自编教材Р2. Donald A.Neamen,赵毅强等译.《半导体物理与器件》,2005Р3. [美]A.S.格罗夫编,齐健译.《半导体器件物理与工艺》.科学出版社,1976Р六、其他说明Р 实验器材和配置在实验内容中已注明。Р执笔人:洪云教研室审核: 二级学院审批:
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