律;非平衡载流子的寿命、产生、复合、扩散等运动规律;载流子的扩散和漂移运动;pn结物理特性、能带图及接触电势差的计算、载流子分布、电流电压特性、结电容、击穿机制、隧道效应;金属-半导体接触的整流理论和欧姆接触;半导体表面电场效应、MIS结构的电容-电压特性;异质结等物理现象、基本理论和及其分析方法;各种理想异质结能带图的画法;半导体霍尔效应。Р【掌握】:主要半导体材料的能带结构;浅杂质能级(施主和受主)和深能级杂质的性质和作用;各种不同杂质浓度和温下的费米能级位置和载流子浓度;主要散射机构的机理、散射几率与杂质浓度及温度的关系;金属-半导体接触的能带弯曲过程分析及简图画法;电流传输理论的几种模型建立、应用和推导;掌握实现良好欧姆接触和整流接触的原理和方法;异质结几种电流传输模型和重要应用;霍耳系数的测定。Р【了解】:半导体中的电子状态;回旋共振实验的目的、意义和原理。了解缺陷、位错能级的特点和作用。电流密度方程和连续性方程;实际MIS结构中出现的各种情况,并与理想C-V特性相比较,了解如何用C-V法来了解半导体的表面状况, Si-SiO2系统的性质。了解异质结几种电流传输模型和重要应用。Р【一般了解】:半导体在强电场下的效应及耿氏效应,半导体超晶格材料。Р【难点】:能带论的定性描述和理解;锗、硅、砷化镓能带结构;杂质能级;杂质电离的过程;半导体导带底,价带顶附近的状态密度计算;费米能级和载流子的统计分布;杂质半导体载流子浓度的计算;载流子的散射机构;电导率与迁移率的关系;强电场效应;复合理论;爱因斯坦关系;连续性方程的应用;电流电压特性、结电容;金属-半导体接触的能带弯曲过程分析;Si-SiO2系统的性质;异质结能带图的画法。Р(重点掌握、掌握、了解、一般了解四个层次可根据教学内容和对学生的具体要求适当减少,但不得少于两个层次)Р 制定人:李亚丽Р审定人:Р批准人:Р日期:
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