间公式。?解释科尔克效应。?了解晶体管的开关特性。?熟悉晶体管穿通机制。Р第三章双极结性晶体管Р第四章金属半导体结Р了解金属—半导体接触出现两个最重要的效应?画出热平衡情况下的肖特基势垒能带图。?掌握肖特基势垒、内建电势差和空间电荷区宽度计算公式。?画出加偏压的的肖特基势垒能带图,解释肖特基势垒二极管的整流特性。?理解界面态和镜像力对肖特基势垒高度的影响。?掌握概念:表面势、热电子、热载流子二极管、里查森常数、有效里查森常数。?导出半导体表面载流子浓度表达式。?导出电流-电压特性〔李查德-杜师曼方程〕。?了解MIS肖特基二极管工作原理。?掌握结型二极管相比肖特基势垒二极管的主要特点。?了解肖特基势垒二极管的主要应用。?掌握欧姆接触概念和形成欧姆接触的条件。Р第五章结型场效应晶体管与MS场效应晶体管Р画出JFET的基本结构示意图。?熟悉JFET的基本工作原理。?熟悉沟道夹断、漏电流饱和、夹断电压等概念。?掌握理想JFET的基本假设及其意义。?导出夹断前JFET的I-V特性方程。?深入理解沟道夹断和夹断电压的含义。?掌握线性区条件和I-V特性。?掌握饱和区条件和I-V特性。?掌握沟道长度调制效应。?掌握GaAs MESFET的突出特点。?掌握JFET和MESFET的主要类型。Р了解理想MOS结构基本假设及其意义。?根据电磁场边界条件导出空间电荷与电场的关系。?掌握载流子积累、耗尽和反型和强反型的概念。?正确画出流子积累、耗尽和反型和强反型四种情况的能带图。?导出反型和强反型条件。?掌握理想MOS系统的电容—电压特性。?导出耗尽层宽度和归一化MOS电容表达式。?掌握沟道电导公式。?掌握阈值电压公式。?了解在二氧化硅、二氧化硅-硅界面系统存在的电荷及其主要性质。?掌握实际阈值电压的公式及各项的意义。?导出萨支唐方程。?理解夹断条件的物理意义。Р第六章金属-氧化物-半导体场效应晶体管
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