区集电结发射极发射区发射结基极基区1.合金管合金结三个区的杂质分布是均匀的,其发射结和集电结都是突变结,发射区和集电区的杂质浓度远远大于基区的杂质浓度。4.1晶体管结构与工作原理2.平面管三个区域的杂质分布是不均匀的。由于此晶体管的基区和发射区是由两次扩散工艺形成的,因此称为双扩散管。4.1晶体管结构与工作原理4.1晶体管结构与工作原理4.1.2晶体管的电流传输1.晶体管的载流子分布2.晶体管的载流子传输1.发射区注入2.基区输运3.集电结收集4.1晶体管结构与工作原理4.1晶体管结构与工作原理三极电流关系对于NPN晶体管,电子电流是主要成分。电子从发射极出发,通过发射区到达发射结,由发射结注入到基区,再由基区输运到集电结边界,然后又集电结收集到集电区并到达集电极,最终称为集电极电流。这就是晶体管内部载流子的传输过程。电子电流在传输过程中有两次损失:一是在发射区,与从基区注入过来的空穴复合损失;而是在基区体内和空穴的复合损失。因此4.1晶体管结构与工作原理4.1.3晶体管的直流电流放大系数1.电流放大系数定义和电流放大能力α0反映出发射极输入电流IE中有多大比例传输到集电极成为输出电流IC,或者说由发射极发射的电子有多大比例传输到集电极。由于前面讲到的传输过程中的两次损失,α0总是小于1。(1)共基极直流电流放大系数α0要提高发射效率,就是要使发射区杂质浓度比基区杂质浓度高得多,这样发射区注入到基区的电子电流就远远大于基区注入到发射区的空穴电流,发射效率很接近于1。发射效率γ0基区输运系数可见,减小基区体内复合电流IVR是提高基区输运系数的有效途径,而主要措施是减薄基区宽度W,使基区宽度远小于电子在基区的扩散长度。4.1晶体管结构与工作原理4.1晶体管结构与工作原理虽然共基极接法的晶体管不能放大电流,但是由于集电极可以接入阻抗较大的负载,所以仍然能够进行电压放大和功率放大。
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