ge)表征Р引言Р原理Р应用Р一.引言Р对于一个半导体样品进行IV测量可以得到它的很多性质。最简单的应用就是测量半导体的电阻特性。在室温下半导体材料的电阻率一般为10-4-109Ω.cm,介于导体和绝缘体之间。它的导电性能与温度,掺杂,晶格缺陷等因素密切相关,特别是掺杂能造成半导体材料电阻率的急剧变化,所以测量半导体材料的电阻率是表征半导体掺杂浓度和掺杂效果的一个重要参数。我们需要根据半导体的种类和性质选择合适的测试方法,这样才能得到材料的真实信息。例如,样品是块体材料还是薄膜材料,样品的种类、形状、大小,掺杂类型、电阻率的大小范围区间等等,只有了解了这些背景信息,我们才能选择正确的测试方法和步骤。Р二. 原理РPN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。当加在PN结上的反向电压增加到一定数值时,反向电流突然急剧增大,PN结产生电击穿—这就是PN结的击穿特性。Рp-n结的典型电流-电压曲线Р三. 应用Р3.1: 判断金半(金属-半导体)接触类型Р由于金属与半导体功函数的差别,某些金属与半导体接触会形成比较好的欧姆接触,而另外一些金属与半导体接触会在接触界面处形成势垒,得到的是肖特基接触,这种接触也就形成了肖特基二极管。例如,如果 n 型半导体同一个功函数比它大的金属接触,由于WB>Wn(WB是金属的功函数,Wn是n型半导体的功函数),电子在W=WB-Wn的作用下,从半导体跑到金属中去。达到平衡时,金属的费米能级(EF)B 同半导体的费米能级(EF)n相等,半导体表面因缺少了电子而带正电,金属表面则因多余电子而带负电,在金属和半导体之间就有接触电势差。能带图如图所示Р功函数较大的金属与n型半导体接触能带图Р根据上述,金半接触的类型可以根据测得的伏安特性曲线来判断,典型曲线如图所示Р金属-半导体接触伏安特性曲线
全文预览
